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固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC球粒区别对待知识 搭载QLC球粒的固态硬盘Z怎样?

2019-07-09 12:53 装机之家 / 晓龙

现在,固态硬盘的进步快,技术为逐渐成熟,对于选购固态硬盘不再只是容量选择的那么简单,更多人群更注意的是性能与颗粒类型,如果对于SSD球粒类型,相信广大用户对QLC、SLC、MLC、TLC球粒类型一无所知,如果进一步是流行推出的搭载QLC球粒的固态硬盘来说,多用户称QLC球粒不好。那么QLC球粒怎么样?下分享一下固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC球粒区别对待知识。


固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC球粒区别对待知识

根据NAND闪存中电子单元密度之差别,并且可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(其三层存储单元)和最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,其中存放数量最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数量,MLC每个cell可以存放2bit数量,TLC每个cell可以存放3bit数量,如果QLC可以存放4bit数量。

为小白更好的了解其中的意义,自己来举只例子,永利总站网址将芯片可以看作一张画满格子的纸,cell相当纸张上的一个只之格子,数量看做是一个黄豆。也就是说,SLC方案每个格子中只能够放入一粒黄豆,所以存储空间较小,MLC方案每个格子可以放入两粒黄豆,TCL方案每个格子可以放入三粒黄豆,如果QLC方案每个格子可以存放四只黄豆,资本不变的情况下,存储空间较大。如果了解这个纸张(芯片晶圆)价格为非常昂贵的,也就是说同样的晶圆如果做成SLC除非128G,做成MLC即使发生256G了,做成TLC的话变成512G,如果做成QLC永利总站网址可以做成更大容量,如果成本是同的。


QLC球粒

QLC、SLC、MLC、TLC球粒区别对待

SLC(只层存储单元)

全是Single-Level Cell,只层电子结构,每个cell可以存放1bit数量,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,辩论擦写次数在10万次以上,但是由于资本高,所以SLC球粒多数用于企业级高端产品受。

MLC(双层存储单元)

全是Multi-Level Cell,使用高低电压的若不和构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,辩论擦写次数在3000-5000浅左右,资本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品受。

TLC(其三层存储单元)

全是Trinary-Level Cell,其三层式存储单元,凡是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,资本较低,但是P/E寿命相对要低一些,辩论擦写次数在1000-3000浅不等于,凡是目前市面上主流的闪存颗粒。



编辑:陈红

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